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公司基本資料信息
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項(xiàng)目名稱：2019年中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所科研儀器設(shè)備采購(gòu)項(xiàng)目（第三批）
項(xiàng)目編號(hào)：OITC-G190330983
采購(gòu)單位聯(lián)系方式：
采購(gòu)單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)
聯(lián)系方式：010-82304941/010-82304907
代理機(jī)構(gòu)聯(lián)系方式：
代理機(jī)構(gòu)：東方國(guó)際招標(biāo)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu)聯(lián)系人：010-68290507
代理機(jī)構(gòu)地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)
采購(gòu)詳情如下：
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包號(hào) |
貨物名稱 |
數(shù)量（臺(tái)/套） |
是否允許進(jìn)口 |
預(yù)算（萬元） |
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1 |
厚氮化硅感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積臺(tái) |
1 |
是 |
398 |
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2 |
硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機(jī) |
1 |
是 |
505 |
各設(shè)備工藝技術(shù)規(guī)格詳情：
厚氮化硅感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積臺(tái)
(1)氧化硅薄膜沉積
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*3.15.1.1折射率（1550nm下測(cè)量） |
1.44-1.52可調(diào) |
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#3.15.1.2折射率均勻性 |
< +/-0.01 |
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#3.15.1.3折射率重復(fù)性 |
< +/-0.01 |
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*3.15.1.4厚度 |
＞20μm |
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3.15.1.5樣品尺寸 |
3英寸 |
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3.15.1.6沉積速度 |
> 1500A/min |
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#3.15.1.7片內(nèi)厚度均勻性 |
< +/-3% |
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3.15.1.7片與片厚度均勻性 |
< +/-5% |
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3.15.1.9硅的應(yīng)力 (以1微米薄膜厚度測(cè)試) |
< -300MPa 壓應(yīng)力 |
(2)氮化硅薄膜沉積
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#3.15.2.1折射率（1550nm下測(cè)量） |
1.8-2.2可調(diào) |
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#3.15.2.2折射率均勻性 |
< +/-0.01 |
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3.15.2.3折射率重復(fù)性 |
< +/-0.01 |
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3.15.2.4沉積速度 |
> 200A/min |
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3.15.2.5樣品尺寸 |
3英寸 |
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#3.15.2.6片內(nèi)厚度均勻性 |
< +/-3% |
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3.15.2.7片與片厚度均勻性 |
< +/-5% |
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3.15.2.8硅的應(yīng)力 (以1微米薄膜厚度測(cè)試) |
< 100MPa 伸應(yīng)力 |
硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機(jī)
（1） 鈮酸鋰刻蝕工藝
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3.15.1.1刻蝕材料 |
鈮酸鋰 |
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3.15.1.2刻蝕結(jié)構(gòu) |
線寬100nm-1μm波導(dǎo) |
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3.15.1.3掩膜 |
>200nm厚Cr硬掩模。 所有刻蝕掩膜必須為挺直，側(cè)壁角度>80° |
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3.15.1.4曝露面積 |
＞80% |
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3.15.1.5刻蝕深度 |
300-700nm |
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3.15.1.6刻蝕速度 |
>30nm/min |
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*3.15.1.7片內(nèi)刻蝕深度均勻性 |
<±3% |
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#3.15.1.8片與片刻蝕深度均勻性 |
<±5% |
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*3.15.1.9對(duì)應(yīng)硬掩模選擇比 |
>5:1 |
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*3.15.1.10側(cè)壁傾角 |
>75° |
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*3.15.1.11側(cè)壁粗糙度 |
＜10nm |
（2） 氧化硅刻蝕工藝
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3.15.2.1刻蝕材料 |
氧化硅 |
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3.15.2.2刻蝕結(jié)構(gòu) |
線寬5-10μm波導(dǎo) |
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3.15.2.3掩膜 |
>3um厚PR。 所有刻蝕掩膜必須為挺直，側(cè)壁角度>80° |
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3.15.2.4曝露面積 |
<15% |
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3.15.2.5刻蝕深度 |
6-15um |
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3.15.2.6刻蝕速度 |
>3000A/min |
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#3.15.2.7片內(nèi)刻蝕深度均勻性 |
<±3% |
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#3.15.2.8片與片刻蝕深度均勻性 |
<±5% |
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3.15.2.9對(duì)應(yīng)光刻膠選擇比 |
>3:1 |
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3.15.2.10角度 |
>85° |
通過現(xiàn)代資訊認(rèn)證 
