1000A(100nm)氧化柵極固態(tài)劑量計(jì)技術(shù)要求
典型數(shù)值在27°C氧化層厚度1000A輻射Vth靈敏度
輻射場 = 0.125 MV/cm : 靈敏度 = 0.09mV/rad
輻射場= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.014mV/rad
(靈敏度在 30 krad(H2O),在以下讀寫器的配置中使用一個(gè)恒量10µA) 溫度補(bǔ)償
TVTC 2.5mV/°C
(該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值)
線性模式中Z.T.C. 數(shù)值 ~ 3µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)
飽和模式中Z.T.C.數(shù)值 ~ 30µA
(使用以下讀寫器電路配置)
預(yù)輻射劑量計(jì)的特點(diǎn)
閾值電壓(外推)-2.15 +/- 0.1V
Vth漂移時(shí)間(秒)2.2mV/十年
(該數(shù)據(jù)出自讀寫器配置強(qiáng)迫40µA.)
氧化層擊穿電壓 ~ 75V
溝道漏電流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 10 pA
亞閾值斜率100 +/- 20 mV/十年
溝道電阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.3 Mohms
北京華恒鑫達(dá)公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動水樣核素活度監(jiān)測系統(tǒng)、同軸高純鍺探測器GCD系列(液氮致冷)、平面型高純鍺探測器GPD系列(液氮致冷)、便攜式高純鍺γ射線譜儀、手持式高純鍺探測器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動式高純鍺譜儀(現(xiàn)場使用)、X γ射線高純鍺譜儀(電致冷)、流動式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測器和相關(guān)電子附件等相關(guān)產(chǎn)品。
1000A(100nm)氧化柵極固態(tài)劑量計(jì)