TEM用純Si薄膜窗

 

純硅薄膜窗特點(diǎn) 
 
納米級(jí)厚度：薄膜厚度為5-15nm，比目前無(wú)定形碳薄膜窗口還薄，為高倍成像減少了背景干擾；
清洗：采用等離子清洗，無(wú)有機(jī)物殘留，改善成像質(zhì)量； 
均勻性：減少了不同區(qū)域的不均勻性； 
穩(wěn)定性：高電子束電流和退火溫度下具有很好的穩(wěn)定性(600℃ for non-porous, >1000℃ for nanoporous)； 
減少污染：彩色污染僅為C膜的一半；
納米孔：為納米尺寸材料提供穩(wěn)定的成像，無(wú)背景干擾； 
Si成分：濺鍍沉積、純的Si； 
最小的背景信號(hào)：可對(duì)含Ni或C樣品進(jìn)行元素分析；
 
 
純硅薄膜窗規(guī)格
 
單窗口系列
窗口類型 薄膜厚度 窗口尺寸 框架尺寸 框架厚度 
 5nm 25x25µm Φ3mm 100µm 
 30nm 500x500µm 納米孔10-60nm Φ3mm 100µm 

多窗口系列
窗口類型 薄膜厚度 窗口尺寸 框架尺寸 框架厚度 
 5nm 2x1陣列，50X1500µm Φ3mm 100µm 
9nm
/15nm 2x1陣列，100X1500µm Φ3mm 100µm  
5nm 2x1陣列，100X100µm Φ3mm 200µm  
9nm
/15nm 2x1陣列，100X1500µm Φ3mm 200µm  
 5nm 3x3陣列，8個(gè)窗口50X50µm，
1個(gè)窗口50X100µm Φ3mm 100µm 
5nm
/9nm 3x3陣列，8個(gè)窗口100X100µm，
1個(gè)窗口100X350µm Φ3mm 100µm  
9nm 3x3陣列，8個(gè)窗口100X100µm，
1個(gè)窗口100X350µm Φ3mm 200µm 
15nm 3x3陣列，8個(gè)窗口100X100µm，
1個(gè)窗口100X350µm Φ3mm 100µm 
30nm 3x3陣列，8個(gè)窗口100X100µm，1個(gè)窗口100X350µm；納米孔10-60nm Φ3mm 100µm 
 15nm 3x3陣列，窗口100X100µm Φ3mm 200µm