近日，鄭州大學(xué)科研人員提出了一種全新的近紅外發(fā)光二極管發(fā)光機(jī)理和器件設(shè)計(jì)理念，并在國(guó)際上首次制備出GaN/Si納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)近紅外發(fā)光二極管，為近紅外發(fā)光二極管的設(shè)計(jì)和制造提供了新的可能。

　　紅外技術(shù)在國(guó)防工業(yè)、地質(zhì)探測(cè)、光纖通信等領(lǐng)域扮演著重要角色。近紅外發(fā)光二極管由于體積小、功耗低、穩(wěn)定性高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，成為新一代近紅外光源的主導(dǎo)技術(shù)。

　　該項(xiàng)研究成果由鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院材料物理教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室李新建研究組完成。該研究組長(zhǎng)期從事硅基納米半導(dǎo)體體系構(gòu)建技術(shù)、性能研究和原型器件研制，在國(guó)內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域產(chǎn)生了一定影響。

　　相關(guān)成果已發(fā)表在國(guó)際期刊《先進(jìn)材料》上。審稿專家認(rèn)為，“此項(xiàng)研究為硅基氮化鎵近紅外發(fā)光二極管的設(shè)計(jì)和制造提供了一種嶄新的途徑”。