近日,北京大學(xué)工學(xué)院席鵬特聘研究員課題組聯(lián)合香港大學(xué)的Wen-Di Li教授課題組、臺(tái)灣Huan-Cheng Chang課題組以及清華大學(xué)黃蕾博士,分別利用受激輻射光淬滅技術(shù)(STED)和結(jié)構(gòu)光照明超分辨技術(shù)(SIM),實(shí)現(xiàn)了對(duì)NV center的超光學(xué)極限分辨率的顯微成像對(duì)比。
受激輻射光淬滅技術(shù)(STED)和結(jié)構(gòu)光照明超分辨技術(shù)(SIM)作為兩種超光學(xué)極限分辨顯微技術(shù),已經(jīng)在生命科學(xué)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。過去,兩種超分辨顯微技術(shù)的特性還沒有在同一樣品上進(jìn)行過比較。利用NV center無光漂白的特性,作者對(duì)這兩種超分辨顯微技術(shù)的分辨率等參數(shù)進(jìn)行了深入全面的對(duì)比研究。利用35nm的NV center納米鉆石顆粒和大塊鉆石上的NV center點(diǎn)陣實(shí)現(xiàn)了對(duì)這兩種方法對(duì)比成像。STED 具有更高的分辨率,然而SIM 具有更大的視場(chǎng)范圍。相關(guān)成果發(fā)表于皇家化學(xué)學(xué)會(huì)出版集團(tuán)的期刊RSC Advances上。
席鵬課題組研究生楊旭三為本文第一作者,席鵬為本文通訊作者。席鵬課題組的研究領(lǐng)域包括超衍射極限分辨率顯微成像、激光共聚焦掃描顯微成像、多光子顯微成像和光學(xué)相干層析成像等。