美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計(jì), 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)有效提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù). 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應(yīng)器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設(shè)備中, 例如鍍膜機(jī), load lock, 濺射系統(tǒng), 卷繞鍍膜機(jī)等.

美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 特性
無柵極
高電流低能量
發(fā)散光束 >45
可快速更換陽極模塊
可選 Cathode / Neutralize 中和器

美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 主要應(yīng)用
輔助鍍膜 IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性、激活 SM
沉積 (DD)
離子蝕刻 LIBE
光學(xué)鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

例如
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上式磁控濺射及蒸鍍?cè)O(shè)備預(yù)清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜

霍爾離子源 eH 系列在售型號(hào):

型號(hào)	eH200(停產(chǎn))	eH400 eH400LE	eH1000 eH1000LE eH1000LO	eH1000xO2	eH2000 eH2000LE eH2000HO	eH3000 eH3000LO eH3000MO
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
Cathode/Neutralizer	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC HC HC	HC
電壓	30-300V	50-300V 30-150V	50-300V 30-150V 50-300V	100-300V	50-300V 30-150V 50-250V	50-250V 50-300V 50-250V
電流	2A	5A 10A	10A 12A 5A	10A	10A 15A 15A	20A 10A 15A
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45	>45
氣體流量	1-15sccm	2-25sccm	2-50sccm	2-50sccm	2-75sccm	5-100sccm
高度	2.0“	3.0“	4.0“	4.0“	4.0“	6.0“
直徑	2.5“	3.7“	5.7“	5.7“	5.7“	9.7“
水冷	無	可選	可選	可選	是	可選

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源 (離子槍) 中國(guó)總代理.

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