|
公司基本資料信息
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||
KRI 霍爾離子源 eH 200
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH200 是霍爾離子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本設(shè)計(jì)離子源. 霍爾離子源 eH200 適用于小型真空腔內(nèi), 例如研發(fā)分析, 薄膜沉積和離子清洗. 霍爾離子源 eH200 操作簡(jiǎn)單是理想的生產(chǎn)工具.
KRI 霍爾離子源 eH 200 技術(shù)參數(shù)：
|
型號(hào) |
eH 200 |
|
供電 |
DC magnetic confinement |
|
- 電壓 |
40-300V VDC |
|
- 離子源直徑 |
~ 2 cm |
|
- 陽(yáng)極結(jié)構(gòu) |
模塊化 |
|
電源控制 |
eHx-3005A |
|
配置 |
- |
|
- 陰極中和器 |
Filament or Hollow Cathode |
|
- 離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
|
- 陽(yáng)極 |
標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
|
- 水冷 |
無(wú) |
|
- 底座 |
移動(dòng)或快接法蘭 |
|
- 高度 |
2.0' |
|
- 直徑 |
2.5' |
|
-加工材料 |
金屬 |
|
-工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
|
- 安裝距離 |
6-24” |
|
- 自動(dòng)控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Filamentless; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 200 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅先生 臺(tái)灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!
