TEM用純Si薄膜窗
純硅薄膜窗特點
納米級厚度:薄膜厚度為5-15nm,比目前無定形碳薄膜窗口還薄,為高倍成像減少了背景干擾;
清洗:采用等離子清洗,無有機(jī)物殘留,改善成像質(zhì)量;
均勻性:減少了不同區(qū)域的不均勻性;
穩(wěn)定性:高電子束電流和退火溫度下具有很好的穩(wěn)定性(600℃ for non-porous, >1000℃ for nanoporous);
減少污染:彩色污染僅為C膜的一半;
納米孔:為納米尺寸材料提供穩(wěn)定的成像,無背景干擾;
Si成分:濺鍍沉積、純的Si;
最小的背景信號:可對含Ni或C樣品進(jìn)行元素分析;
純硅薄膜窗規(guī)格
單窗口系列
窗口類型 薄膜厚度 窗口尺寸 框架尺寸 框架厚度
5nm 25x25µm Φ3mm 100µm
30nm 500x500µm 納米孔10-60nm Φ3mm 100µm
多窗口系列
窗口類型 薄膜厚度 窗口尺寸 框架尺寸 框架厚度
5nm 2x1陣列,50X1500µm Φ3mm 100µm
9nm
/15nm 2x1陣列,100X1500µm Φ3mm 100µm
5nm 2x1陣列,100X100µm Φ3mm 200µm
9nm
/15nm 2x1陣列,100X1500µm Φ3mm 200µm
5nm 3x3陣列,8個窗口50X50µm,
1個窗口50X100µm Φ3mm 100µm
5nm
/9nm 3x3陣列,8個窗口100X100µm,
1個窗口100X350µm Φ3mm 100µm
9nm 3x3陣列,8個窗口100X100µm,
1個窗口100X350µm Φ3mm 200µm
15nm 3x3陣列,8個窗口100X100µm,
1個窗口100X350µm Φ3mm 100µm
30nm 3x3陣列,8個窗口100X100µm,1個窗口100X350µm;納米孔10-60nm Φ3mm 100µm
15nm 3x3陣列,窗口100X100µm Φ3mm 200µm